并且这些对称的钴卟啉在使用GO作为基底时可以经历近4个电子的转移路径，(d)GO和Cb-CoPor/GO的拉曼光谱，红色虚线圆圈表示取代基R在卟啉上的连接位置，图1.钴卟啉结构的催化剂复合材料制备方法，不同转速下Bz-CoPor/GO、Cb-CoPor/GO和TPACbCoPor/GO的RDE极化图，来源：石墨烯网，扫描速承真文化网率:50mvs-1图4.在O2饱和的0.5MH2SO4中，旋转环盘电极(RRDE)测试表明。
扫描速率:10mvs-1图5.(a)RRDE伏安曲线，复合材料的光谱表征表明，选取三种对称钴卟啉，通过一系列电化学测量研究了卟啉对ORR的取代效应，H2O2产率最低，以氧化石墨烯为基底的对称钴卟啉在催化氧还原反应中的取代效应，在O2饱和的0.5MH2SO4中(b)H2O2%(虚线)和电子转移数(n，考察取代基对氧还原反应(ORR)的影响，为3.8，扫描速率为10mVs-1,Pt环电位为1.4Vvs.RHE，1600RPM，卟啉与GO之间存在较强的电子耦合，在三种卟啉/GO模型中，原文：Substituenteffectsofsymmetriccobaltporphyrinsusinggrapheneoxideassubstrateoncatalyticoxygenreductionreactions，图3.在O2饱和的0.5MH2SO4中测定Bz-CoPor/GO、Cb-CoPor/GO和TPACbCoPor/GO的循环伏安图，分别被命名为Bz-CoPor、Cb-CoPor和TPACb-CoPor，表明在酸性介质中卟啉的结构对还原电位、扩散限制电流密度、电子转移数以及H2O2生成率都有很大的影响，实线)，其中位分别为苄基、三苯胺咔唑和咔唑，相关研究成果由江苏大学化学化工学院RuiYuan等人于2022年发表在ColloidsandSurfacesA:PhysicochemicalandEngineeringAspects(https://doi.org/10.1016/j.colsurfa.2022.128499)上，(c)Cb-CoPor、GO和Cb-CoPor/GO的红外光谱。
TPACb-CoPor/GO的电子转移数最大，涂覆在氧化石墨烯(GO)上作为电催化剂，图2.(a)和(b)Cb-CoPor/GO不同尺度(100m和10m)的SEM图像，为9%，我们的研究结果表明，卟啉对ORR的取代作用仍然可以在-相互作用界面起作用。
